- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录103 > NRVBB30H30CT-1G (ON Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 30A 30V I2PAK
MBRB30H30CT?1G, NRVBB30H30CT?1G, MBR30H30CTG
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
(Per Diode Leg)
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
30
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR) TC
= 138
?C
IF(AV)
15
A
Peak Repetitive Forward Current
(Rated VR, Square Wave, 20 kHz)
IFRM
30
A
Nonrepetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz)
IFSM
260
A
Operating Junction Temperature (Note 1)
TJ
?55 to +150
?C
Storage Temperature
Tstg
55 to +150
?C
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dv/dt
10,000
V/s
Controlled Avalanche Energy (see test conditions in Figures 9 and 10)
WAVAL
250
mJ
ESD Ratings:
Machine Model = C
Human Body Model = 3B
> 400
> 8000
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ
< 1/R
JA.
THERMAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
Value
Unit
Maximum Thermal Resistance
Junction?to?Case
Junction?to?Ambient
RJC
RJA
2.0
70
?C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Per Diode Leg)
Rating
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(IF
= 15 A, T
C
= 25
?C)
(IF
= 15 A, T
C
= 125
?C)
(IF
= 30 A, T
C
= 25
?C)
(IF
= 30 A, T
C
= 125
?C)
vF
0.48
0.40
0.55
0.53
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated DC Voltage, TC
= 25
?C)
(Rated DC Voltage, TC
= 125
?C)
iR
0.8
130
mA
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ?
2.0%.
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